财富在线 |【财喵】需求爆棚！全球存储“涨价风暴”来袭，超级周期或已至（附产业梳理）

2026年开年，全球存储市场迎来一场“涨价风暴”，SSD与DRAM价格集体飙升，且呈现出不同于以往短周期波动的结构性紧缺特征。从消费级到企业级，从现货市场到合约市场，涨价潮已全面蔓延至产业链各环节。

与过去“消费旺季补库存”驱动的短暂涨价不同，本轮存储价格上涨或源于供需格局的深层重构，AI需求爆发、原厂减产与库存周期反转形成三重共振，其对产业链的影响或将持续贯穿2026年。

一、全球SSD与DRAM正经历价格上涨

截至2026年1月19日，全球存储产业已进入明确的涨价上行周期，财富在线指出，NANDFlash与DRAM两大核心品类价格同步走强，现货市场率先突破，合约市场逐步跟涨，供需紧张格局持续深化。

1.NANDFlash价格稳步攀升，现货合约传导顺畅

作为SSD的核心原料（占SSD成本60%-80%），NANDFlash价格自2025年3月起开启底部修复，逐步确认上行趋势。现货市场表现尤为强劲，据市场监测数据显示，64Gb8Gx8MLC规格价格从2025年3月初的4.45美元，持续抬升至12月末的7.04美元，阶段涨幅接近60%；32Gb4Gx8MLC规格同期涨幅更为显著，从2.43美元上涨至4.27美元，涨幅超70%，中高容量规格价格中枢上移迹象明显，反映现货端供需关系持续改善。

合约市场价格上行节奏虽滞后于现货，但方向保持一致，涨价传导效应逐步显现。其中，128Gb16Gx8MLC合约均价自2025年2月的2.29美元，稳步回升至11月的5.19美元；32Gb规格合约价从1.32美元升至3.30美元，表明存储需求恢复已从短期交易层面，向更稳定的中长期采购层面扩散，NAND市场已完成去库存与价格筑底阶段。

图：SSD重要原料NANDFlash的现货价格趋势

图：SSD重要原料NANDFlash的合约价格趋势

2.DRAM价格加速跳涨，DDR5成为领涨主力

DRAM市场涨价动能自2025年11月中旬起集中释放，尤其是DDR5规格呈现加速上行态势，现货与合约市场均表现强劲。现货端，DDR516Gb（2G×8）4800/5600Mbps规格均价，从2025年11月13日的24.13美元，上涨至2026年1月15日的34.50美元，阶段累计涨幅约43%；eTT规格涨幅更为惊人，同期从9.95美元升至19.00美元，累计涨幅接近91%。

价格走势呈现明显的加速特征，11月中下旬至12月上旬以缓慢抬升为主，12月中旬后涨速加快，2026年初出现连续跳涨，反映DDR5主流16Gb颗粒现货供需紧张程度持续加深。合约端，DDR58GbSO-DIMM合约价呈现台阶式上行，2025年初至二季度维持在23.0-24.5美元区间，三季度后开启实质性上涨，9月升至26.75美元，10月、11月分别攀升至33.50美元、36.50美元，显示服务器及高端终端对DDR5内存的中期需求已正式纳入合同体系，需求从短期交易向中长期订单快速转化。

图：主流型号DRAM5现货价格趋势

图：主流型号DRAM5合约价格趋势

二、存储价格大幅上涨的原因

本轮存储价格上涨并非单一因素驱动，财富在线分析而是AI需求爆发、原厂减产保价与下游库存周期反转形成的三重共振，叠加产业结构升级影响，推动市场从“买方市场”快速转向“卖方市场”。

1.AI需求爆发引发产能虹吸，重塑供给结构

人工智能成为本轮存储景气反转的首要驱动力，生成式AI落地与算力军备竞赛，催生数据中心对高性能存储的结构性爆发需求，HBM（高带宽内存）与企业级大容量SSD长期处于供不应求状态。由于HBM技术门槛高、制造复杂度大，单位产能消耗远超传统DRAM，三星、SK海力士、美光三大存储原厂纷纷将有限的先进产能，优先投向利润更高的AI相关产品。

图：一个AIGPU需要伴随4–8堆HBMDRAM，而每一堆HBMDRAM消耗了大量的DRAM

这种“产能虹吸效应”直接压缩了PC、手机等传统领域的DRAM与NAND供给，为整体存储价格上行奠定基础。据《中国经营报》报道，谷歌、微软等企业已紧急派遣采购人员争夺紧缺的DRAM货源，进一步加剧了市场供需紧张局面。

2.原厂减产保价共识，掌握定价主导权

经历前两年严重的供给过剩与价格崩盘后，全球三大存储巨头达成罕见共识，主动实施“减产保价”策略，与AI需求形成高度共振。自2025年起，三星、SK海力士、美光大幅削减晶圆投片量，严格控制资本开支，主动收缩供给端规模，加速历史高库存消化进程。

供给收缩快速扭转市场格局，原厂重新掌握定价主导权，打开持续涨价通道。受益于销量激增与价格上涨，三星电子2025年四季度营业利润创下历史新高，突破20万亿韩元（约合人民币962亿元），进一步强化了原厂的涨价意愿与价格纪律。

3.库存周期反转，上下游博弈放大涨价幅度

随着智能手机和PC市场逐步走出低谷，下游厂商普遍判断存储价格已完成筑底，且在AI长期需求逻辑支撑下具备持续上行空间，库存策略从去库存转向战略性备货，部分环节甚至出现抢购行为。

国泰基金指出，产业链2025年已完成充分去库存，当前原厂及下游客户库存水位处于健康甚至偏紧状态，价格预期转正后，补库存行为进一步放大价格弹性。

与此同时，存储原厂为修复此前周期受损的资产负债表，展现出更强的价格纪律，明确拒绝降价订单。在AI需求主线牵引下，这种上下游博弈结构使得存储价格上涨趋势得以延续，形成“涨价-备货-再涨价”的正向循环。

三、存储价格大幅上涨带来的产业趋势

面对存储价格持续高涨的“卖方市场”格局，产业链上下游及区域市场呈现差异化应对策略，核心集中在产能结构调整、成本压力传导与国产替代提速三大维度，产业竞争格局或面临重构。

1.上游原厂产能大挪移，聚焦高利润赛道

三星、SK海力士、美光并未通过增加传统产线平抑价格，而是实施激进的“产能大挪移”，将原本用于生产标准型DRAM和NANDFlash的晶圆产能，大规模划拨给HBM和企业级存储产品。野村证券预计，闪迪可能在2026年一季度将企业级SSD大容量3DNAND闪存价格上调一倍，凸显高端产品的利润吸引力。

为应对AI服务器爆发式需求，原厂甚至进一步压缩消费级存储供应量，通过维持标准品“紧平衡”支撑高价，同时抢占AI算力技术高地，以牺牲消费级市场供给换取企业整体利润最大化，这一策略或将持续主导未来产能布局方向。

2.下游终端分化应对，涨价与减配并行

面对服务器内存涨价及消费级存储成本飙升，下游终端厂商被迫在成本与竞争力之间寻求平衡，呈现明显分化态势。招商证券表示联想、戴尔、惠普等PC厂商已全线调价，涨幅在10%-30%之间，部分顶配机型价格上浮超5000元；手机市场上，小米17Ultra起售价较上一代上涨500元，多家厂商新机型定价超越旧款。

为维持入门级产品价格竞争力，市场出现“减配”现象，部分厂商取消大内存版本或在基础款中维持8GB/256GB低规格，倒逼消费者为高配置支付溢价。而苹果等资金优势巨头，正通过签订长期协议（LTA）锁定未来几年供应价格，缓冲成本压力。金鹰基金测算，存储成本占手机/PCBOM成本的15%-20%，若存储价格再上行30%-40%，对整机BOM成本影响达5%-8%，中小厂商利润压力更为显著。

3.国产替代加速突破，供应链韧性提升

国际大厂涨价与产能向高端倾斜，为国产存储厂商提供了替代契机，长江存储（NAND）与长鑫存储（DRAM）迎来份额提升窗口。国内终端厂商为保障供应链安全、提升议价能力，开始更积极地导入国产存储产品，推动国产厂商产能利用率维持高位。

据《电子工程专辑》报道，长江存储闪存产能已达16万片/月，长鑫存储内存产能达28万片晶圆/月，2026年计划进一步提升至30万片/月；华硕、宏碁等厂商已进入国产存储产品评估阶段，国产存储向主力供应商转型的趋势或已显现。国金证券指出，国产产能释放节奏与先进封装瓶颈缓解速度，将成为影响2026年存储市场供需格局的关键变量。

本轮存储价格飙涨并非短期周期波动，而是AI技术变革与产业供需重构共同作用的结果，其对产业链的影响已超越价格本身，推动上游产能结构升级、下游终端分化竞争，有望加速国产替代进程。

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