摘要:当前半导体行业整体处于需求萎缩阶段,但在国产化水平低的设备和材料环节仍然保持着高速增长态势,相关概念股走势也比其他半导体芯片股强的多。
SiC材料特性优异,新能源汽车、光伏驱动行业成长。当前全球SiC衬底总年产能约在40~60万片等效6英寸,无法满足下游旺盛需求。
此前,半导体晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示,碳化硅(SiC)产能满载、供不应求,仍在持续扩产,预计今年四季度、明年一季度将贡献显著营收。
当前SiC功率器件价格较高,是硅基IGBT的3-5倍左右,但凭借优异的系统节能特性,SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。
机构指出,目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势,国内企业仍在起步阶段,技术不断追赶同时产能尚在爬坡,随着国内企业产品得到验证进程加速,下游厂商认可程度不断提升,海外企业与国内企业差距相对缩小,本土化具备广阔的市场空间。
来源:科创板日报

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