【财富在线午后看点】全球存储芯片需求激增！超级周期有望延续！

一、盘面看点

市场早盘探底回升，创业板指涨超1%，科创50指数涨超3%。沪深两市半日成交额2.08万亿，较上个交易日放量2999亿。盘面上热点快速轮动，全市场超百股涨停。截至午间收盘，沪指涨0.57%，深成指涨0.87%，创业板指涨1.14%。

从板块来看，芯片产业链集体爆发，其中半导体设备板块震荡回升，盛美上海涨超10%，续创历史新高，华兴源创20cm涨停。科创芯片股反复走强，东芯股份20cm涨停，中芯国际涨超10%，寒武纪续创历史新高。存储芯片概念走高，商络电子20cm涨停。PCB概念延续强势，鹏鼎控股2连板，续创历史新高，莲花控股5天3板。电力板块震荡拉升，京能电力9天6板。

消息面上，财联社报道，5月24日发布数据显示，受人工智能热潮带动，全球存储芯片需求激增，三星电子、SK海力士等五家头部企业，一季度出口额占韩国出口总额比重约44%。

2026年以来，国产大模型调用量持续扩容，AI算力需求持续上涨，存储价格回暖预期增强，国内存储厂商扩产和上市进程也不断牵动着市场情绪。

全球AI芯片格局亦迎来深刻调整，全球算力技术路线加速演进、供给格局持续优化，也为我国半导体产业打开了窗口期。英伟达在一季度财报媒体会议上表示，预计今年下半年开始生产和发货下一代机架级人工智能系统Vera Rubin。此前，谷歌在I/O大会上宣布TPU 8t系列正式商用，并联合黑石集团投入50亿美元布局独立TPU算力云。

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作为AI发展的“发动机”，算力芯片的技术路线与产业格局，已成为全球科技竞争的关键制高点。在国内，中国半导体产业正从“追赶”走向“并跑”，在AI芯片设计与存储两大领域同步发力，多条技术路线并行突围，为自主算力底座奠定基础。

在存储芯片领域，国内企业也实现了关键突破。其中，长江存储作为国内唯一的NAND闪存原厂，已实现294层3D NAND的量产，核心指标跻身全球第一梯队；长鑫存储则在DRAM领域持续攻关，已量产多款DDR4、LPDDR4X及DDR5产品，逐步缩小与国际领先企业的代际差距。

展望午后，当前时点或仍处在本轮存储上行周期的中段。美光正加速推进美国本土先进DRAM制造，市场普遍预期DRAM与NAND价格强势格局有望延续至2027年。三星劳资谈判取得阶段性缓和，短期供给扰动风险有所下降，为行业供给端提供了更稳定的预期。另外，从现货市场来看，存储产品价格持续维持高位，近期DDR4与DDR5产品价格均呈现稳步上涨态势。综合来看，存储芯片供需格局依然偏紧，价格上行趋势或较为明确，午后板块有望延续强势爆发格局。

二、产业逻辑

1、26Q1DRAM/NAND合约价涨幅创新高，预计26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨70-75%。

据TrendForce，26Q1通用DRAM合约价上涨93-98%，NAND合约价上涨85-90%，预计26Q2通用DRAM合约价上涨58-63%，NAND合约价上涨7075%。AI数据中心投入持续支撑DRAM和企业级SSD需求，CSP加速签署长期协议锁定产能，供需失衡程度超预期。

现货价格方面，DRAM现货价止跌回升，截至5月21日DDR48Gb/16Gb现货价较4月底下跌1.6%至上涨24.2%，5月初DDR516Gb/24Gb现货价止跌上涨2.8%/1.3%。NAND方面，4月底TLC/QLCNAND现货价较3月底下跌3%-6%，5月中MLCNAND现货价较4月同期上涨1423%，原厂退出/减产导致MLCNAND供需缺口扩大。

2、4月韩国DRAM/NAND出口额同比增长超3倍/2倍，3月韩国半导体产/销量同比增长9.9%/7.5%。

据韩国贸易工业能源部，2026年4月韩国存储出口额269.7亿美元，同比增长278.0%，环比下降4.3%。其中DRAM出口额153.9亿美元，同比增长342.7%，环比减少0.2%；NAND出口额16.7亿美元，同比增长288.1%，环比减少34.3%。

据韩国数据统计部（MODS），3月韩国半导体产量/销量/库存同比+9.92%/+7.46%/-16.85%，产量、销量同比增幅有所下降，库存维持快速消耗。

3、中国台湾主要存储产业链厂商4月营收增幅进一步扩大。

国泰海通证券研报数据显示，中国台湾主要存储原厂、存储主控芯片厂商和存储品牌/模组厂商自25年12月以来月度营收维持同比翻倍增长，部分4月同比增幅扩大至3倍。

中国台湾主要存储原厂4月营收同比增长312.8%，环比增长36.5%；主要存储主控芯片厂商4月营收同比增长231.1%，环比增长10.2%；主要存储品牌/模组厂商4月营收同比增长313.6%，环比增长12.7%；主要存储封测厂商4月营收同比增长25.3%，环比增长2.2%。

存储模组厂威刚月度营收连续两月创单月历史新高，SSD产品受益于NANDFlash合约价涨幅扩大，公司预计26Q2DRAM和NAND合约价调涨40%以上，对下半年NAND价格看法更积极，供需缺口进一步扩大，有望延续至2027年。

存储原厂旺宏表示国际大厂退出低容量市场形成的供给空缺带动eMMC和NAND需求升温，下半年产能利用率迈向满载，全年业绩有望逐季走高。

三、券商观点

国泰海通证券指出，本月DDR4/DDR5现货价格止跌回升，主要由于渠道商库存消耗后回归补库需求，26H2有望回归供需失衡下的价格上涨趋势。当前原厂持续将产能向AI服务器相关产品倾斜，虽然部分消费类终端需求面临下修风险，但由于供给受产能分配制约，价格有望延续上行。

并且当前时点仍处于本轮上行周期中段，主要存储厂商在2027年上半年之前的有效产能增量有限，各细分品类合约价涨幅仍有上修空间；叠加下游大客户通过长期协议（LTA）锁定供应，原厂资本开支风险降低，盈利可预测性提升，周期振幅有望显著收窄，存储板块交易逻辑有望从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望将从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的优质AI基础设施资产的确定性溢价，推动行业估值中枢上行。

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